КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ

ПОСТАНОВА

від 31 серпня 2011 р. N 908

Київ

Про внесення змін до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355

Кабінет Міністрів України постановляє:

Внести до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355 "Про затвердження Державної цільової науково-технічної програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008 - 2011 роки" (Офіційний вісник України, 2007 р., N 90, ст. 3305) зміни, що додаються.

 

Прем'єр-міністр України

М. АЗАРОВ

Інд. 70

 

ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 31 серпня 2011 р. N 908

ЗМІНИ,
що вносяться до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355

1. У назві та пункті 1 постанови цифри "2008 - 2011" замінити цифрами "2008 - 2012".

2. У Державній цільовій науково-технічній програмі "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008 - 2011 роки", затвердженій зазначеною постановою:

1) у назві Програми цифри "2008 - 2011" замінити цифрами "2008 - 2012";

2) у розділі "Обсяги та джерела фінансування":

в абзаці другому цифри і слова "2011 році - 13,3 млн.," замінити цифрами і словами "2011 - 13,3 млн., 2012 році - 9,8 млн.,";

абзац третій виключити;

3) у додатках до Програми:

у додатку 1:

у назві та пункті 6 додатка цифри "2008 - 2011" замінити цифрами "2008 - 2012";

пункти 4 і 7 викласти у такій редакції:

"4. Керівник Програми - Голова Держінформнауки.";

"7. Прогнозні обсяги та джерела фінансування, млн. гривень:

Джерела фінансування

Обсяг фінансування

У тому числі за роками

2008

2009

2010

2011

2012

Державний бюджет

69,8

15,35

16,25

15,1

13,3

9,8

Інші джерела

21,1

5

5

5

5

1,1

Усього

90,9

20,35

21,25

20,1

18,3

10,9

";

у додатку 2:

графи "Значення показника" та "У тому числі за роками" доповнити підграфою "2012";

пункт 2 викласти у такій редакції:

"

Найменування завдання

Найменування показника

Значення показника

Найменування заходу

Головний розпорядник бюджетних коштів

Джерела фінансування

Прогнозний обсяг фінансових ресурсів для виконання завдань, млн. гривень

У тому числі за роками

усього

за роками

2008

2009

2010

2011

2012

2008

2009

2010

2011

2012

2. Створення принципово нових матеріалів, у тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки

дослідно-конструкторські роботи

2

1

 

1

 

 

1) розроблення технології одержання нових напівпровідникових матеріалів на основі квантових точок халькогенідів для створення емітерів світла видимого і ближнього інфрачервоного діапазону (500 - 1400 нм) з регульованим спектром випромінювання. Виготовлення дослідних зразків світлодіодів

Національна академія наук

державний бюджет

4,41

1,15

1,27

1,09

0,9

 

нові види матеріалів

2

 

1

 

1

 

дослідно-конструкторські роботи

1

1

 

 

 

 

2) розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання. Розроблення технологічного регламенту виготовлення нанокераміки.
Випуск дослідної партії сцинтиляційних елементів для реєстрації рентгенівських та гамма-квантів

 

- " - 

5,25

1,5

1,4

1,25

1,1

 

технологічні регламенти

1

 

 

1

 

 

дослідно-конструкторські роботи

3

1

 

1

 

1

3) розроблення технології отримання високоякісних підкладок із сапфіру для структур кремній на сапфірі, для світлодіодів та інших комплектуючих приладів мікроелектроніки. Створення дослідно-промислової ділянки і виготовлення підкладок із кристалів, вирощених різними методами для великих інтегральних схем, світлодіодів тощо

 

державний бюджет

22,9

3,1

3,5

3,4

3,1

9,8

технології світового рівня

3

 

1

 

1

1

технологічні регламенти

2

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

інші

8,1

1,75

1,75

1,75

1,75

1,1

 

 

 

 

 

 

 

 

разом

 

31

4,85

5,25

5,15

4,85

10,9

дослідно-конструкторські роботи

2

1

 

1

 

 

4) розроблення іонно-плазмової технології одержання кристалічних плівок SiC на кремнієвих і сапфірових підкладках для створення фотоперетворюючих приладів авіаційної і атомної промисловості. Виготовлення та натурні випробування макетів ультрафіолетових сенсорів у широкому діапазоні термічних та радіаційних дій

 

державний бюджет

1,52

0,4

0,46

0,35

0,31

 

технології світового рівня

1

 

1

 

 

 

Разом за завданням 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

42,18

7,9

8,38

7,84

7,16

10,9

у тому числі

 

 

 

 

 

 

 

 

 

державний бюджет

34,08

6,15

6,63

6,09

5,41

9,8

інші

8,1

1,75

1,75

1,75

1,75

1,1

";

позицію "Усього за Програмою" викласти у такій редакції:

"

Усього за Програмою

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

90,9

20,35

21,25

20,1

18,3

10,9

у тому числі

 

 

 

 

 

 

 

 

 

державний бюджет

69,8

15,35

16,25

15,1

13,3

9,8

інші

21,1

5

5

5

5

1,1

";

у додатку 3:

графу "Значення показників" доповнити підграфою "2012";

пункт 2 викласти у такій редакції:

"

Найменування завдання

Найменування показника

Значення показників

усього

у тому числі за роками

2008

2009

2010

2011

2012

2. Створення принципово нових матеріалів, у тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки

дослідно-конструкторські роботи

8

4

 

3

 

1

технології світового рівня

4

 

2

 

1

1

технологічні регламенти

3

 

 

1

 

2

нові види матеріалів

2

 

1

 

1

 

";

позицію "Усього" викласти у такій редакції:

"

Найменування завдання

Найменування показника

Значення показників

усього

у тому числі за роками

2008

2009

2010

2011

2012

Усього

дослідно-конструкторські роботи

33

15

8

8

1

1

технології світового рівня

27

2

5

12

7

1

технологічні регламенти

22

3

3

7

7

2

нові види матеріалів

8

 

1

3

4

 

нові види приладів

7

1

 

1

5

 

".

 




 
 
Copyright © 2003-2018 document.UA. All rights reserved. При використанні матеріалів сайту наявність активного посилання на document.UA обов'язково. Законодавство-mirror:epicentre.com.ua
RSS канали